1. Физико-технический институт ПетрГУ
  2. Бакалавриат и специалитет Физико-технического института ПетрГУ
  3. Структура и свойства материалов электроники и нанэлектроники в Физико-техническом институте ПетрГУ

ПетрГУ Физико-технический институт Электроника и наноэлектроника (11.03.04)

Где и кем работать после бакалавриата по программе "Структура и свойства материалов электроники и нанэлектроники", окончив Физико-технический институт ПетрГУ

  • от 189 000
    Информация о стоимости года обучения предоставлена за 2024 год
    рублей в год стоимость года
    обучения
  • 22 бюджет. места
  • 5 платных мест
  • 4 года обучения

Поделиться с друзьями

Карьера после окончания Физико-технического института ПетрГУ по программе "Структура и свойства материалов электроники и нанэлектроники"

Должности, на которые могут претендовать выпускники: инженер-конструктор наноматериалов, инженер-метролог в области нанотехнологий и наноматериалов, инженер-микроэлектронщик, инженер-наноматериаловед, инженер-исследователь, программистразработчик.

Областью профессиональной деятельности выпускников профиля является совокупность средств, способов и методов человеческой деятельности, направленных на теоретическое и экспериментальное исследование, математическое и компьютерное моделирование, проектирование, конструирование, технологию производства, использование и эксплуатацию материалов, компонентов, электронных приборов, устройств, установок вакуумной, плазменной, твердотельной, микроволновой, оптической, микро- и наноэлектроники различного функционального назначения.

Объектами профессиональной деятельности являются:

  • материалы, компоненты, электронные приборы, устройства, установки, методы их исследования, проектирования и конструирования,
  • технологические процессы производства,
  • диагностическое и технологическое оборудование,
  • математические модели,
  • алгоритмы решения типовых задач,
  • современное программное и информационное обеспечение процессов моделирования и проектирования изделий электроники и наноэлектроники.